深圳市明佳达电子供应原厂正品英飞凌BSC0901NSI OptiMOS™功率MOSFET ——30V N沟道MOSFET，低导通电阻，高效能电源解决方案1.产品描述明佳达电子专业供应英飞凌原装正品BSC0901NSI，这是一款30V N沟道功率MOSFET，属于OptiMOS™ 5系列，采用先进的沟槽栅技术，具有超低导…
深圳市明佳达电子供应原厂正品英飞凌BSC0901NSI OptiMOS™功率MOSFET ——30V N沟道MOSFET，低导通电阻，高效能电源解决方案
1.产品描述
明佳达电子专业供应英飞凌原装正品BSC0901NSI，这是一款30V N沟道功率MOSFET，属于OptiMOS™ 5系列，采用先进的沟槽栅技术，具有超低导通电阻和高开关效率，适用于DC-DC转换、电机驱动、电池保护等高效率电源应用。
BSC0901NSI采用SuperSO8封装，体积小巧（5mm×6mm），同时支持高电流承载能力（连续漏极电流达100A），是服务器电源、通信设备、电动工具等领域的理想选择。
2.BSC0901NSI核心特点与优势
主要特性
低导通电阻：仅为0.9毫欧，最大限度地降低导通损耗，提高效率。
高电流能力：最大电流可达100安培，满足高功率应用需求。
快速开关速度：低栅极电荷和低输入电容，减少开关损耗。
紧凑封装：采用TDSON-8封装，节省电路板空间，适合高密度设计。
集成肖特基二极管：优化同步整流性能。
优势
延长电池寿命：低功耗设计，适合便携设备。
改进EMI表现：无需外部缓冲器网络，简化电路设计。
节省成本和空间：紧凑封装和高效性能，降低系统成本。
高可靠性：符合RoHS标准，确保环保和可靠性。
3.BSC0901NSI规格参数
类型：N沟道MOSFET
电压等级：30V
连续漏极电流：100A（@25°C）
导通电阻：0.9mΩ
栅极电荷： 68nC
封装：SuperSO8（5mm×6mm）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
符合标准：RoHS, AEC-Q101（可选）
4.BSC0901NSI潜在应用
电源转换：用于DC-DC和AC-DC转换器，提供高效电源管理。
电机驱动：适用于电机驱动电路，实现高效控制。
无线充电：提供高效、安全的无线充电功能。
LED照明：用于LED照明电源，提高照明效率。
服务器和通信设备：优化电压调节器性能。
联系方式
电话：+86 13410018555
邮箱：chen13410018555@163.com
总结
英飞凌BSC0901NSI OptiMOS™功率MOSFET以其超低、高电流能力成为高效电源设计的首选。明佳达电子作为专业元器件供应商，确保BSC0901NSI原装正品、快速交付，并提供全方位技术支持，欢迎咨询！
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