英飞凌 IPD50P04P4L-11 P 沟道 OptiMOS™-P2 汽车 MOSFET 晶体管深圳市明佳达电子有限公司作为全球知名的电子元器件分销商，专业供应英飞凌 IPD50P04P4L-11 P 沟道 OptiMOS™-P2 汽车 MOSFET 晶体管。这些高性能 MOSFET 专为汽车电子应用而设计，具有高效率、低损耗和高可…
英飞凌 IPD50P04P4L-11 P 沟道 OptiMOS™-P2 汽车 MOSFET 晶体管
深圳市明佳达电子有限公司作为全球知名的电子元器件分销商，专业供应英飞凌 IPD50P04P4L-11 P 沟道 OptiMOS™-P2 汽车 MOSFET 晶体管。这些高性能 MOSFET 专为汽车电子应用而设计，具有高效率、低损耗和高可靠性的特点，是电动汽车电源管理、电池管理系统 (BMS) 和车载充电器等应用的理想之选。
IPD50P04P4L-11 产品概述
IPD50P04P4L-11 是英飞凌 OptiMOS™-P2 系列中的 P 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有以下核心特性：
电压和电流参数： 40V 耐压、50A 持续漏极电流
封装： PG-TO252-3 (DPAK) 封装，适合高密度 PCB 设计
导通电阻： 极低的 RDS（导通）特性，大大降低了导通损耗。
开关性能： 优化栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss)，实现高效开关
温度范围： 宽工作温度范围，适合汽车级应用
IPD50P04P4L-11 的产品优势
1. 卓越的电气性能
IPD50P04P4L-11 采用英飞凌先进的 OptiMOS™-P2 技术，具有以下优点
更低的导通电阻 (RDS(on))，可降低功率损耗
开关频率更高，可提高系统效率
优化了体二极管特性，提高了反向恢复性能
增强热性能，提高功率密度
2. 汽车级可靠性
作为汽车级 MOSFET，IPD50P04P4L-11 符合严格的汽车电子标准：
通过 AEC-Q101 认证，确保在恶劣环境中的可靠性
出色的抗振性和抗冲击性
耐高温能力，适用于发动机舱和其他高温环境
长期供货保证，满足汽车产品生命周期要求
3. 应用广泛
IPD50P04P4L-11 适用于各种汽车电子系统：
电动/混合动力汽车：车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS)。
传统汽车电子：电动助力转向（EPS）、燃油喷射系统、水泵/燃油泵控制
车身电子设备：智能门锁、座椅调节、车窗控制
信息娱乐系统：电源管理、音频放大器
IPD50P04P4L-11 的技术参数
晶体管极性：P 沟道
通道数：1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：40 V
Id - 持续漏极电流：50 A
Rds On - 漏极-源极电阻：17.2 mOhms
Vgs - 栅极源极电压：- 16 V，+ 5 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：1.2 V
Qg - 栅极电荷：45 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度：+ 175 C
Pd - 功率耗散：58 W
下降时间：39 ns
高度：2.3 毫米
长度：6.5 毫米
产品类型：MOSFET
上升时间：9 ns
典型关断延迟时间：46 ns
典型导通延迟时间：12 ns
宽度：6.22 毫米
单位重量：330 毫克
IPD50P04P4L-11 的应用解决方案
1. 汽车电源管理系统
IPD50P04P4L-11 在汽车电源管理系统中的典型应用包括
负载开关：控制大电流负载的开/关
反极性保护：防止电池反接损坏电路
电源路径管理： 多个电源系统中的无缝切换
预充电电路：限制电容器充电电流并保护接触器
2. 电机驱动应用
IPD50P04P4L-11 具有高电流能力和低导通电阻，非常适合用于以下应用
小型直流电机驱动器
步进电机控制
风扇/泵电机驱动器
电动座椅/车窗驱动器
3. H 桥拓扑结构
在需要双向控制的 H 桥电路中，IPD50P04P4L-11 可与 N 沟道 MOSFET 配合使用，实现以下功能
直流电机正反转控制
电磁阀驱动
其他需要双向电流的应用
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