STGW30NC120HD器件是一款N沟道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT，特别适合需要软开关的应用场景，如逆变器、电机驱动等。其主要特性低导通损耗：STGW30NC120HD具有低导通损耗，适用于需要高效能转换的应用场景。低导通电压降：在25C时，STGW30NC120HD导通电压为2.75…
STGW30NC120HD器件是一款N沟道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT，特别适合需要软开关的应用场景，如逆变器、电机驱动等。
其主要特性
低导通损耗：STGW30NC120HD具有低导通损耗，适用于需要高效能转换的应用场景。
低导通电压降：在25°C时，STGW30NC120HD导通电压为2.75V，保证了低功耗运行。
高电流能力：电流为30A，STGW30NC120HD适合需要高电流输出的应用。
高输入阻抗：STGW30NC120HD采用电压驱动，适合高频应用。
低栅极电荷：STGW30NC120HD减少了开关过程中的能量损耗。
简介
STGW30NC120HD是基于ST专利的条形布局，采用最新的高压技术，设计的一款先进的1200 V IGBT器件，具有卓越的性能。该IGBT经过优化，适用于高频应用，以实现非常高的开关性能（降低 tfall），同时保持低电压降。
技术规格
STGW30NC120HD具有以下主要规格：
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 kV
集电极—射极饱和电压：2.75 V
栅极/发射极最大电压：- 25 V, 25 V
在25 C的连续集电极电流：60 A
Pd-功率耗散：220 W
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-247-3
集电极连续电流：30 A
集电极最大连续电流 Ic：60 A
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
高度：20.15 mm
长度：15.75 mm
产品类型：IGBT Transistors
宽度：5.15 mm
单位重量：38 g
应用领域
STGW30NC120HD适用于各种需要高效能和高频率切换的应用场景，如感应加热、电机控制、电源管理等。其优异的性能使其在工业自动化、电力电子设备、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。
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