深圳市明佳达电子有限公司现货供应英飞凌N沟道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS™ 5 80V 功率MOSFET，适用于电信应用，如服务器电源、通信设备等。产品描述BSC052N08NS5是英飞凌OptiMOS™ 5系列的一部分，采用PG-TDSON-8封装。该器件的最大漏源极电压（VDS）为80V，最大导…
深圳市明佳达电子有限公司现货供应英飞凌N沟道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS™ 5 80V 功率MOSFET，适用于电信应用，如服务器电源、通信设备等。
产品描述
BSC052N08NS5是英飞凌OptiMOS™ 5系列的一部分，采用PG-TDSON-8封装。该器件的最大漏源极电压（VDS）为80V，最大导通电阻（RDS(on)）为5.2毫欧，能够承载最大95A的连续漏极电流（ID）。其优化的开关性能有助于降低开关和导通损耗，从而减少并联需求，提高功率密度。
产品特点
高效电源转换：专为高效电源转换设计，适用于多种应用场景。
低导通电阻：最大RDS(on)为5.2毫欧，有助于降低导通损耗。
高电流承载能力：最大ID为95A，能够满足高功率应用需求。
优化的封装：采用SuperSO8封装，尺寸为5x6mm，适合紧凑型设计。
宽工作温度范围：工作温度范围为-55°C至+150°C，适合各种环境条件。
核心优势
高效节能：相比上一代产品，RDS(on) 降低 43%，显著提升功率密度
高电流承载能力：95A 连续电流，380A 脉冲电流，适用于大功率应用
快速开关：上升/下降时间仅 7ns/5ns，减少开关损耗
宽温工作范围：-55°C ~ +150°C，适应严苛环境
低栅极电荷（Qg = 32nC），降低驱动损耗
产品属性
制造商：Infineon Technologies
型号：BSC052N08NS5
年份：24+
系列：OptiMOS™
零件状态：在售
FET 类型：N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 @ 47.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
封装：PG-TDSON-8
典型应用
电信基站电源
服务器/数据中心电源
太阳能逆变器
轻型电动车（LEV）电机驱动
工业自动化控制
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