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一款采用 TO247 封装的【IHW20N135R5】1350 V IGBT单片集成反向导通二极管

一款采用 TO247 封装的【IHW20N135R5】1350 V IGBT单片集成反向导通二极管

来源:本站时间:2025-05-13浏览数:

IHW20N135R5绝缘栅双极晶体管(IGBT)特别优化了感应烹饪应用的苛刻要求,适用于软开关应用,如感应烹饪炉和逆变微波炉,同时也适用于需要硬开关功能的设计‌。性能参数产品:IHW20N135R5配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1.35 kV集电极—射极饱和电压:1.65 V栅极…

IHW20N135R5绝缘栅双极晶体管(IGBT)特别优化了感应烹饪应用的苛刻要求,适用于软开关应用,如感应烹饪炉和逆变微波炉,同时也适用于需要硬开关功能的设计‌。

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性能参数

产品:IHW20N135R5

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.35 kV

集电极—射极饱和电压:1.65 V

栅极/发射极最大电压:- 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:288 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:RC

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

零件号别名:SP001078568 IHW20N135R5XKSA1

单位重量:6 g


概述

IHW20N135R5是一款1350 V, 20 A的IGBT单管,采用TO-247封装,具有单片集成反向导电二极管‌‌。这款IGBT单管特别优化了感应烹饪应用的苛刻要求,适用于软开关应用,如感应烹饪炉和逆变微波炉,同时也适用于需要硬开关功能的设计‌。


特征描述

开关损耗减少幅度高达20%

超低通态损耗

启动电流峰值降低10%

Tj(max) = 175°C

低 EMI 的软电流关断波形

更高的阻断电压 VBR(min)= 1350


优势和应用领域

IHW20N135R5具有以下优势:

开关频率增加

减少功率损耗

更好的热管理,可提高可靠性

更低的 EMI 滤波要求

降低系统成本

针对峰值电流的最高可靠性


应用领域

IHW20N135R5广泛应用于以下领域:

变频微波炉

电磁炉电路设计

感应电饭煲电路设计

家用电器


IHW20N135R5反向导通IGBT将TRENCHSTOP™系列的性能与创新性反向导通RC-H IGBT技术相结合,具有更高的开关频率、低功耗以及经过改进的热管理,可靠性极高。

实物图.jpg

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