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产品分类

集成电路（IC）

以太网高带宽总线开关差动放大器模拟交叉点开关 HDMI发送器激光驱动器模拟开关 IC 超声波接收器多路复用器和解复用器视频处理器视频编码器接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片接口 - 重定时器跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器仪表放大器 PCI Express 交换机汽车系统芯片安全与认证IC 均衡器/驱动器/中继器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组物联网模组新能源模组车规级模组智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组物联网芯片

滤波器

带阻滤波器低通滤波器带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器有源滤波器 RF 滤波器高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块无线网卡芯片蓝牙模块 WiFi 无线模块蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个碳化硅（SiC）JFET 硅二极管电源模块射频晶体管功率 MOSFET 模块碳化硅（SIC）FET 模块碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块晶闸管二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管二极管与整流器肖特基二极管与整流器单齐纳二极管双极晶体管阵列功率驱动器模块二极管 - 整流器 - 单晶体管 - FET，MOSFET - 阵列晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品电压基准电池管理以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

磁阻传感器角度传感器霍尔效应开关电感式传感器霍尔效应锁存器和开关生物传感器飞行时间传感器传感器信号调节器光学传感器流量传感器板上安装湿度传感器生物识别传感器速度传感器湿度传感器霍尔效应电流传感器超声波传感器光学传感器，光电二极管湿度、湿敏传感器光学探测器和传感器 - 红外探测器板上安装温度传感器气体传感器位置传感器工业毫米波雷达传感器汽车毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存非易失性存储器随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC 伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

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650 V【IGW75N65H5】TRENCHSTOP™ 5 H5（高速5）IGBT详细参数

650 V【IGW75N65H5】TRENCHSTOP™ 5 H5（高速5）IGBT详细参数

来源：本站时间：2025-05-13浏览数：

IGW75N65H5绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一款高速器件，设计具有终极效率，适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术，集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。IGW75N65H5在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率，并且是上一代IGBT的即插即用替代品…

IGW75N65H5绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一款高速器件，设计具有终极效率，适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术，集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。IGW75N65H5在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率，并且是上一代IGBT的即插即用替代品。典型应用包括UPS、焊接变流器、太阳能电池组列逆变器和中高频开关变频器。

产品封装.png

技术参数

IGW75N65H5的主要技术参数包括：

配置：Single

集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V

集电极—射极饱和电压：1.65 V

栅极/发射极最大电压：- 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流：120 A

Pd-功率耗散：395 W

最小工作温度：- 40 C

最大工作温度：+ 175 C

系列：Trenchstop IGBT5

封装 / 箱体：TO-247-3

安装风格：Through Hole

栅极—射极漏泄电流：100 nA

产品类型：IGBT Transistors

零件号别名：IGW75N65H5 SP001257936

单位重量：6.100 g

应用领域

IGW75N65H5适用于需要高效能和高可靠性的应用场景，如：

家用电器‌：由于其高效能和可靠性，适用于各种家用电器中的功率转换需求。

工业控制‌：在工业控制系统中，IGW75N65H5的高效率和低损耗特性使其成为理想选择。

汽车电子‌：在汽车电子系统中，如电动车辆和混合动力车辆的功率转换和控制系统。

特点和优势

IGW75N65H5的特点包括：

650V 击穿电压

对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列

Q g系数降低2.5倍

开关损耗系数降低2倍

V CE (sat)减少了200mV

低C OES/E OSS

温和正温度系数VCE (sat)

V f 的温度稳定性

IGW75N65H5的优势包括：

具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性

母线电压可提升50V，同时不影响可靠性

更高的功率密度设计

实物图.jpg

立即咨询：可以通过访问明佳达电子官网（www.hkmjd.com）咨询IGW75N65H5库存以及产品价格。

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