ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

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ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

来源：本站时间：2025-05-28浏览数：

半导体制造商ROHM近日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。新产品是ROHM首款…

半导体制造商ROHM近日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。

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新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。

新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术，有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性，不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能，还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。

另外，隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150V/ns（纳秒），是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作，从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%，导通时间缩短至仅65ns。因此，虽然频率更高却仍可确保最小占空比，从而可将损耗控制在更低程度。

GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分激发出各种高耐压GaN器件（包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA（最大值），达到业界超低功耗水平，另外还可有效降低待机功耗。

新产品已于2025年3月开始量产（样品价格：600日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始网售，通过电商平台均可购买。

＜开发背景＞

在全球能源消耗逐年攀升的背景下，节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是，据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。

ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势，成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来，ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件，为应用产品的设计提供更多便利。

＜应用示例＞

◇工业设备：光伏逆变器、ESS（储能系统）、通信基站、服务器、工业电机等的电源

◇消费电子：白色家电、AC适配器（USB充电器）、电脑、电视、冰箱、空调

本公司网址：www.hkmjd.com

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