LTC4451AV 40V 7A理想二极管是一种高性能肖特基二极管的替代品,使用集成的n通道功率MOSFET。基本信息型号:LTC4451AV类型:N+1 ORing 控制器FET 类型:N 通道比率 - 输入:输出:1:1内部开关:无延迟时间 - 开启:300 ns延迟时间 - 关闭:1 s电流 - 输出(最大值):7A电…
LTC4451AV 40V 7A理想二极管是一种高性能肖特基二极管的替代品,使用集成的n通道功率MOSFET。
基本信息
型号:LTC4451AV
类型:N+1 ORing 控制器
FET 类型:N 通道
比率 - 输入:输出:1:1
内部开关:无
延迟时间 - 开启:300 ns
延迟时间 - 关闭:1 µs
电流 - 输出(最大值):7A
电流 - 供电:20 µA
电压 - 供电:0V ~ 40V
应用:备用电池,工业级
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-LQFN
说明
LTC4451AV 40V 7A理想二极管使用集成N沟道功率MOSFET替代高性能肖特基二极管。该器件可轻松将OR电源结合在一起,以提高系统可靠性并防止反向导通。
LTC4451AV可在15mV时调节正向电压,从而与肖特基二极管相比,最大限度地降低功耗。在diode-OR应用中,调节可确保平稳的电流传输而不会产生振荡。当功率MOSFET完全增强时,晶体管的RDS(ON)为21mΩ。该功率MOSFET具有高达7A额定正向导通电流,同时耗散1.34W功率。具有快速瞬态响应的高性能栅极驱动器可最大限度地降低正向功耗和反向电流。VCC输入允许在低电压应用中工作时VIN低至接地。LTC4451AV采用小型16引脚2mm × 3mm LQFN封装。
应用场景
LTC4451AV广泛应用于各种需要高性能肖特基二极管替代的场合,包括:
肖特基二极管替代器件
工业、医疗和消费电子便携式设备
电池和壁式适配器二极管“或”操作
此外,LTC4451AV还具有以下特性:
通过替换无外部元件的功率肖特基二极管来降低功耗
内部 7A、21mΩ N 通道 MOSFET
15mV 稳压正向电压
20μA 工作电流,0.8μA 关断电流
具有 VCC > 2.75V 的 0V 至 40V 宽输入范围
快速开启可最大限度地减少电压降
快速反向恢复时间可将反向瞬态电流最小化
二极管“或“应用中的平滑切换
16 引脚、2mm × 3mm LQFN 封装
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