6 月 7 日消息，据 BusinessPost报道，长鑫存储在智能手机、IT 设备、机器人、自动驾驶汽车等领域应用的 LPDDR 技术上已逼近韩国水平，并已开始着手开发下一代 LPDDR6 技术。为了不被轻易赶超，三星电子 DS 部门副董事长全永铉预计将在今年下半年通过“1c DRAM”工艺开发…
6 月 7 日消息，据 BusinessPost报道，长鑫存储在智能手机、IT 设备、机器人、自动驾驶汽车等领域应用的 LPDDR 技术上已逼近韩国水平，并已开始着手开发下一代 LPDDR6 技术。
为了不被轻易赶超，三星电子 DS 部门副董事长全永铉预计将在今年下半年通过“1c DRAM”工艺开发出下一代“LPDDR6”内存并量产，计划向高通等科技巨头供货。
半导体行业认为，考虑到当前开发速度，长鑫存储最早可能在 2026 年实现 LPDDR6 量产（已于 2023 年底实现 LPDDR5 商用），与三星电子的量产时间相差不足一年。
按照 DRAM 工艺的发展顺序：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代）。随着每一代的迭代，线宽都会变得更细，从而提高性能和能效。
SamMobile 此前报道称，高通预计将在其下一代笔记本电脑 SoC“骁龙 X Elite 2”中采用 LPDDR6 内存，而该芯片预计将于今年 9 月 23 日的骁龙峰会首发亮相，后续将保持关注。
BusinessPost 表示，长鑫存储已宣布在 2026 年前逐步停止生产 DDR4 DRAM 并转向 DDR5，其目标是在今年年底前将月产量提高到 30 万片晶圆（约为三星电子 2024 年月产量的 45%）。
《电子时报》（DigiTimes）预计，到 2025 年底，DDR5、LPDDR5X 和 LPDDR5 将占长鑫存储 DRAM 总产量的 60% 左右。
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