IPG20N04S4L-11 - 英飞凌汽车级双N沟道MOSFET产品描述：IPG20N04S4L-11 是英飞凌（Infineon）推出的 汽车级双N沟道增强型功率MOSFET，属于 OptiMOS™-T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封装（56mm），具有超低导通电阻（11.6mΩ） 和 40V 漏源电压，适用于汽车电子、工业控制及…
IPG20N04S4L-11 - 英飞凌汽车级双N沟道MOSFET产品描述：
IPG20N04S4L-11 是英飞凌（Infineon）推出的 汽车级双N沟道增强型功率MOSFET，属于 OptiMOS™-T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封装（5×6mm），具有超低导通电阻（11.6mΩ） 和 40V 漏源电压，适用于汽车电子、工业控制及轻负载开关等应用。
关键特性：
双N沟道设计：集成两个独立MOSFET，节省PCB空间，提高系统集成度。
超低导通电阻：11.6mΩ（典型值）@ 10V, 17A，显著降低功率损耗。
高电流能力：连续漏极电流达 20A，适用于大功率开关应用。
汽车级认证：
符合AEC-Q101标准，支持 -55°C ~ +175°C 宽温工作范围。
MSL1 峰值回流焊温度达 260°C，满足汽车制造工艺要求。
低栅极电荷（26nC @ 10V），优化高频PWM控制效率。
100% 雪崩测试，增强器件在瞬态高压下的可靠性。
符合RoHS标准，环保无铅设计。
产品优势：
双超S08可替代多个DPAK，实现PCB面积的显著节省和系统级成本降低。
键合线直径为200微米，支持高达20安培的电流
更大的源极引线框架连接，适用于键合线连接
封装：PG-TDSON-8-4
与相同芯片尺寸的DPAK相比，具有相同的热性能和电气性能。
裸露焊盘提供卓越的热传导性能（具体取决于芯片尺寸）
单个封装内集成两个N沟道MOSFET，配备2个独立的引线框架
技术参数：
产品种类: MOSFET
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 41 W
明佳达电子供应信息
深圳市明佳达电子有限公司现货供应IPG20N04S4L-11 汽车级MOSFET，公司致力于为客户提供原厂正品的电子元器件，确保产品的质量和可靠性。凭借完善的库存管理和物流体系，明佳达电子能够快速响应客户需求，提供及时的供货服务。欢迎有需求的客户联系明佳达电子，获取详细的产品信息和报价。
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