全球存储解决方案领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已开始提供面向汽车应用的全新通用闪存存储 (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品。这些新设备专为满足下一代车载系统的严苛需求而设计，凭借Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存及自研控制器技术，在性能、灵活性和诊断功能…
全球存储解决方案领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已开始提供面向汽车应用的全新通用闪存存储 (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品。这些新设备专为满足下一代车载系统的严苛需求而设计，凭借Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存及自研控制器技术，在性能、灵活性和诊断功能方面实现显著提升。
新款UFS 4.1设备提供128GB、256GB、512GB和1TB多种容量选择，旨在满足信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载远程信息处理、域控制器及车载计算机等场景的需求。产品符合AEC-Q100/104 Grade 2标准，支持最高115°C的外壳温度。
相较于Kioxia的UFS 3.1代产品，新款UFS 4.1 (512GB)设备的性能提升如下：
•连续读取性能约提升2.1倍
•连续写入性能约提升2.5倍
•随机读取性能约提升2.1倍
•随机写入性能约提升3.7倍
这些改进将为数据密集型车载环境带来更流畅的用户体验。
核心特性包括：
•符合UFS 4.1规范，包括与WriteBooster相关的扩展功能（如WriteBooster缓冲区调整和固定部分刷新模式），为优化性能提供更高灵活性。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。
•增强的诊断能力，新增厂商特定的设备健康描述符，简化设备状态监控和预测性维护。
•采用第8代BiCS FLASH™ 3D闪存。
Kioxia的UFS 4.1设备在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存打造。该代产品引入了CBA（CMOS直接键合至阵列）技术——这一架构创新标志着闪存设计的重大飞跃。通过将CMOS电路直接键合至存储阵列，CBA技术大幅提升了能效、性能和存储密度。
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