韩国首尔，2024年8月29日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）29日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级…
韩国首尔，2024年8月29日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）29日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。
SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”
公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。
而且，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。
此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。
SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领导力，巩固最受客户信赖的AI用存储器解决方案企业的地位。”
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