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集成电路（IC）

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物联网/IGBT模组

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滤波器

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无线连接

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分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

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传感器

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[供应，回收] 英飞凌 IGBT 模块：DD450S45T3E4B5 4500V, 450A XHP™3 二极管 IGBT 模块

[供应，回收] 英飞凌 IGBT 模块：DD450S45T3E4B5 4500V, 450A XHP™3 二极管 IGBT 模块

来源：本站时间：2024-11-30浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] 英飞凌 IGBT 模块：DD450S45T3E4B5 4500V, 450A XHP™3 二极管 IGBT 模块DD450S45T3E4B5：4500V、450A XHP™ 3 二极管 IGBT 模块，配有发射极受控 E4 二极管和 10.4kV 的增强隔离。型号：DD450S45T3E4B5封装：模块Vr - 反向电压：…

深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] 英飞凌 IGBT 模块：DD450S45T3E4B5 4500V, 450A XHP™3 二极管 IGBT 模块


DD450S45T3E4B5：4500V、450A XHP™ 3 二极管 IGBT 模块，配有发射极受控 E4 二极管和 10.4kV 的增强隔离。

型号：DD450S45T3E4B5

封装：模块

Vr - 反向电压：4.5kV

Vf - 正向电压：2.6V

Pd - 功率耗散： 1.5MW

安装方式：螺钉安装

类型：XHP™3 二极管 IGBT 模块


DD450S45T3E4B5 - 主要特性：

电气特性：

- VR = 4500 V

- IF = 450 A, IFRM = 900 A

- 高动态稳定性

机械特性：

- 封装的 CTI > 600

- 碳化硅铝 (AlSiC) 基板提供更高的温度循环能力

- 高爬电距离和电气间隙

- 加强绝缘封装，10.4kV 交流 60 秒


应用：

电机控制

牵引驱动器

中压转换器


如有需求请致电咨询陈先生：

QQ：1668527835

电话：13410018555

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