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产品说明:1200V,40A,场截止沟槽型IGBT晶体管,TO-247N-3
封装:TO-247N-3产品说明:1200V、15A、沟槽型场截止 IGBT晶体管,TO-247N-3
封装:TO-247N-3产品说明:650V,用于 20-60kHz 开关的极光穿透 IGBT晶体管,TO-220-3
封装:TO-220-3产品说明:900V,165A,用于 20-50 kHz 开关的高速 IGBT晶体管,TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:1200V,场截止 VII (FS7) IGBT 晶体管,TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:1200V,场截止 VII (FS7) IGBT 晶体管,TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-60 V,SOT-223
封装:PG-SOT223产品说明:表面贴装型 P 通道 200 V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-263AA
封装:TO-263产品说明:表面贴装型 N 通道 1200 V 200mA(Tc) 33W(Tc) TO-252AA
封装:TO-252-3产品说明:双极 (BJT) 晶体管- 单 NPN 60 V 3 A 60MHz 1 W 通孔 TO-126-3
封装:TO-126-3电话咨询:86-755-83294757
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