IXTY02N120P-TRL是 IXYS 推出的一款 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252-3(DPAK)封装,适用于高压开关、电源管理及工业控制等应用。该器件具有 1200V 耐压 和 200mA 连续漏极电流,采用金属氧化物半导体技术,提供 低导通电阻和快速开关性能,适用于 高电压、低电流 的功率转换电路。
IXTY02N120P 产品属性
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 75 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 33 W
IXTY02N120P 特点
国际标准封装
动态dv/dt额定值
低RDS(on)和Qg
雪崩额定值
低封装电感
IXTY02N120P 应用
直流-直流转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式电源供应器
灯具镇流器
交流和直流电机驱动器
机器人和伺服控制
激光驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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