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产品说明:双极 (BJT) 晶体管- 单 NPN 60 V 3 A 60MHz 1 W 通孔 TO-126-3
封装:TO-126-3产品说明:IGBT晶体管 650 V 78 A 300 W 表面贴装型 TO-263(D2PAK)
封装:D2PAK产品说明:IGBT晶体管 560 V 80 A 300 W 表面贴装型 TO-263(D2PAK)
封装:D2PAK产品说明:P-通道功率MOSFET,-30 V,-88.6 A,7.5 mΩ,µ8FL
封装:8-WDFN产品说明:P-通道功率MOSFET,-40 V,-222 A,2.2 mΩ,DFN5
封装:DFN5产品说明:P-通道功率MOSFET,-30 V, -234 A,1.8 mΩ,SO8-FL
封装:SO-8FL产品说明:PIN 二极管 .33pF -40C +150C Thrshld Lvl +9 dBm
封装:QFN-3产品说明:PIN 二极管 .45pF -40C +150C Thrshld Lvl +12 dBm
封装:QFN-3产品说明:PIN 二极管 .3pF -40C +150C Thrshld Lvl +10 dBm
封装:QFN-3产品说明:N沟道 60 V,典型值 1.2 mΩ,120 A STripFET F7 功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装
封装:PowerFLAT 5x6产品说明:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源模块
封装:SON-8电话咨询:86-755-83294757
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