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深圳市明佳达电子有限公司

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AI 处理器

电阻器网络

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KSD794AYSTU
ON

产品说明:双极 (BJT) 晶体管- 单 NPN 60 V 3 A 60MHz 1 W 通孔 TO-126-3

封装:TO-126-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS41H100CG
ST

产品说明:100 V、40 A双路功率肖特基整流器

封装:D2PAK
10起
21880
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5065G2-F085
ON

产品说明:IGBT晶体管 650 V 78 A 300 W 表面贴装型 TO-263(D2PAK)

封装:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5056G2-F085
ON

产品说明:IGBT晶体管 560 V 80 A 300 W 表面贴装型 TO-263(D2PAK)

封装:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFS015P03P8Z
ON

产品说明:P-通道功率MOSFET,-30 V,-88.6 A,7.5 mΩ,µ8FL

封装:8-WDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS2D3P04M8L
ON

产品说明:P-通道功率MOSFET,-40 V,-222 A,2.2 mΩ,DFN5

封装:DFN5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS003P03P8Z
TI

产品说明:P-通道功率MOSFET,-30 V, -234 A,1.8 mΩ,SO8-FL

封装:SO-8FL
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CLA4603-085LF

产品说明:PIN 二极管 .33pF -40C +150C Thrshld Lvl +9 dBm

封装:QFN-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CLA4605-085LF

产品说明:PIN 二极管 .45pF -40C +150C Thrshld Lvl +12 dBm

封装:QFN-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CLA4606-085LF

产品说明:PIN 二极管 .3pF -40C +150C Thrshld Lvl +10 dBm

封装:QFN-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL220N6F7
ST

产品说明:N沟道 60 V,典型值 1.2 mΩ,120 A STripFET F7 功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装

封装:PowerFLAT 5x6
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CSD87350Q5D
TI

产品说明:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源模块

封装:SON-8
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDP30E65D1

产品说明:650 V , 30 A 硅功率二极管

封装:TO-220-2
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DLA60I1200HA

产品说明:低压标准整流器

封装:TO-247-2
10起
8500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DZ540N26K

产品说明:2600V,540A,单整流二极管模块

封装:BG-PB501-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APTDR40X1601G

产品说明:1600V、40A、SP1F、三相桥式硅二极管模块

封装:SP1F
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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