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嵌入式和网络处理器

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NP30N06QDK-E1-AY

产品说明:60V、30A 双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:HSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT60R016CM8

产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT60R037CM8

产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTA60R180CM8

产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-LHSOF-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT60R180CM8

产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE057N10NM6CG

产品说明:OptiMOSTM6 功率晶体管,100V

封装:PG-TTFN-9
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R053M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R008M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R022M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R040M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R078M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R181M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R012M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R116M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R017M2H

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C426NWFAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40V,1.3mΩ

封装:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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