商品名称:QPF4800TR13
数据手册:QPF4800TR13.pdf
品牌:Qorvo
年份:23+
封装:LGA-28
货期:全新原装
库存数量:10000 件
Qorvo QPF4800双频带Wi-Fi® 6前端模块 (FEM) 在一个紧凑型4mmx3mm封装中集成了2.4GHz和5.0GHz功率放大器 (PAS) 、一个稳压器、两个SPDT开关、一个双工器和一个带旁路的低噪声放大器 (LNA) 。QPF4800 FEM的发射增益超过29dB,接收增益为14dB,噪声系数为2.6dB,工作电源电压为5.0V。QPF4800非常适合用于Wi-Fi 6客户端设备 (CPE)、接入点、无线路由器和物联网 (IoT) 应用。
QPF4800 Wi-Fi 6前端模块采用28引脚焊盘栅格阵列 (LGA) 封装,无铅、无卤,符合RoHS指令。
产品规格
产品种类: 射频前端
类型: RF Front End
工作频率: 2.4 GHz, 5 GHz
NF—噪声系数: 2.6 dB, 2.5 dB
工作电源电压: 5 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LGA-28
开发套件: QPF4800EVB-01
增益: 29 dB, 33 dB
湿度敏感性: Yes
系列: QPF4800
工厂包装数量: 5000
技术: Si
零件号别名: QPF4800
应用
接入点
无线路由器
住宅网关
用户端设备 (CPE)
物联网
型号
品牌
封装
数量
描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
UJ4C075060L8SSB
UJ4C075060L8SSB 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075060L8SSR
UJ4C075060L8SSR 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075044L8SSB
UJ4C075044L8SSB 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075044L8SSR
UJ4C075044L8SSR 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075033L8SSR
UJ4C075033L8SSR 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…UJ4C075033L8SSB
UJ4C075033L8SSB 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…电话咨询:86-755-83294757
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