商品名称:IAUC100N04S6N015
数据手册:IAUC100N04S6N015.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:PG-TDSON-8
货期:全新原装
库存数量:2000 件
英飞凌推出最新的 OptiMOS™6 40V 功率 MOS 技术,采用 5x6mm² SS08 无引线封装,具有最高的质量水平和坚固性,适用于汽车应用。
所有这一切都使产品的 FOM(RDSon x Qg)和性能成为市场上同类产品中的佼佼者。新型 SS08 产品的额定连续电流为 120A,比标准 DPAK 高出 25%,而占地面积几乎只有标准 DPAK 的一半。
此外,新一代 SS08 封装采用新型铜夹互连技术,具有极低的封装电感(与 DPAK、D²PAK 等传统封装相比,封装电感降低了 ≈4 倍),因此开关性能和 EMI 性能更出色。
功能概述
OptiMOSTM - 用于汽车应用的功率 MOSFET
N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
通过 AEC Q101 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 规范)
100% 通过雪崩测试
产品属性
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.55 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 55 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3470 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 100W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
型号
品牌
封装
数量
描述
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ISC023N03LF2S功率MOSFET属于StrongIRFET™ 2系列,其采用新一代功率MOSFET技术,可满足开关电源、电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。ISC023N03LF2S产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化,可为各种应用提供支持,实现灵活设计…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系统的整体性能,同时还具有出色的稳健性。ISC009N03LF2S具有以下关键参数:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30 V25C 时电流 - 连续漏…电话咨询:86-755-83294757
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