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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

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图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：AIHD04N60R

商品名称：AIHD04N60R

数据手册：AIHD04N60R.pdf

品牌：INFINEON

年份：23+

封装：TO-252-3

货期：全新原装

库存数量：1200 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
AIHD04N60R
封装
TO-252-3
描述
IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3

产品描述

AIHD04N60R - IGBT 沟槽型场截止，集成二极管封装，具有节省空间的优势。


产品属性

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：12 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值：75 W

开关能量：90µJ（开），150µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：27 nC

25°C 时 Td（开/关）值：14ns/146ns

测试条件：400V，4A，43 欧姆，15V

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3


产品特性

适用于 600V 应用的 TRENCHSTOP™ 反向导电 (RC) 技术可提供

平稳的开关性能，实现低 EMI 水平

非常紧密的参数分布

工作频率范围为 1 至 20kHz

最高结温 175°C

动态应力测试

5μs 的短路能力


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封装

数量

描述

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常见问题

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    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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