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产品分类

AI 处理器

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商品型号:NVTFS5124PLWFTAG

商品名称:NVTFS5124PLWFTAG

数据手册:NVTFS5124PLWFTAG.pdf

品牌:ON

年份:23+

封装:8-WDFN

货期:全新原装

库存数量:2000

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公司名称:

技术参数

制造商
ON
型号
NVTFS5124PLWFTAG
封装
8-WDFN
描述
表面贴装型 P 通道 60 V 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

产品描述

NVTFS5124PLWFTAG 是适用于紧凑和高能效设计的汽车用单 P 沟道功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。


产品属性

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):260 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):6 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):250 pF @ 25 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3W(Ta),18W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等级:汽车级

资质:AEC-Q101

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN

基本产品编号:NVTFS5124


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3000

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常见问题

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