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SPD15P10PL是 STMicroelectronics 推出的一款 P 沟道功率 MOSFET，采用先进的 STripFET™ VI 技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点，适用于各种功率开关应用。

SPD15P10PL产品特性

低导通电阻 (R_DS(on)): 低至 0.15 Ω，有效降低导通损耗，提高效率。

高电流能力: 连续漏极电流 (I_D) 高达 -10 A，满足高功率应用需求。

快速开关速度: 低栅极电荷 (Q_g) 和低反向恢复电荷 (Q_rr)，实现快速开关，降低开关损耗。

优异的热性能: 低热阻 (R_thJC)，确保良好的散热性能，提高可靠性。

符合 RoHS 标准: 符合环保要求，安全可靠。

SPD15P10PL 产品属性

FET 类型： P 通道  

技术：MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 100 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 @ 11.3A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V @ 1.54mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 128W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等级： 汽车级  

资质： AEC-Q101  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-TO252-3  

封装/外壳： TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 

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