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深圳市明佳达电子有限公司
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产品分类

集成电路（IC）

以太网 I³C 智能开关和扩展器 DDR5 寄存时钟驱动器 接口 - 触控驱动器 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

电容式传感器 加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /分立半导体/P 沟道 MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：NVGS3443T1G

商品名称：P 沟道 MOSFET

品牌：ON

年份：24+

封装：TSOP-6

货期：全新原装

库存数量：10000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
ON
型号
NVGS3443T1G
封装
TSOP-6
描述
单 P 沟道功率 MOSFET -20V、-4.4A、65mΩ

产品描述

NVGS3443T1G 是一款高性能P沟道MOSFET，适用于多种电源管理和信号控制应用。该芯片采用TSOP-6封装，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于汽车电子、电源管理和电池管理系统。


NVGS3443T1G 技术规格

类型：P沟道MOSFET

漏源电压（Vdss）：-20V

连续漏极电流（Id）：最高可达4.4A（Ta=25°C）

导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@4.5V，4.4A）

工作温度范围：-55°C至+150°C（Tj）

封装形式：TSOP-6

其他特性：

阈值电压（Vgs(th)）：1.5V

栅极电荷（Qg）：7.5nC（@4.5V）

输入电容（Ciss）：565pF（@5V）

反向传输电容（Crss）：120pF

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型号

品牌

封装

数量

描述

BSP613P

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3000

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IXTA26P20P

IXYS

TO-263

4000

表面贴装型 P 通道 200 V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-263AA

NVTFS015P03P8Z

ON

8-WDFN

2000

P-通道功率MOSFET，-30 V，-88.6 A，7.5 mΩ，µ8FL

NVMFS2D3P04M8L

ON

DFN5

1000

P-通道功率MOSFET，-40 V，-222 A，2.2 mΩ，DFN5

NTMFS003P03P8Z

TI

SO-8FL

2000

P-通道功率MOSFET，-30 V， -234 A，1.8 mΩ，SO8-FL

SPD15P10PL

INFINEON

TO-252-3

30000

采用 DPAK 封装的 P 沟道功率 MOSFET

NVMFS9D6P04M8LT1G

ON

5-DFN

18800

MOSFET - 功率，单 P 沟道 -40 V，9.5 mΩ，-77 A

NVMFS3D0P04M8LT1G

ON

DFN5

2000

MOSFET - 功率，单 P 沟道 40V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

NVMFS5113PLWFT1G

ON

5-DFN

3000

功率 MOSFET -60V、64A、14 mOhm、单 P 沟道、SO8-FL、逻辑电平

IPB120P04P4-04

INFINEON

D2PAK-3

2000

表面贴装型 P 通道 40 V 120A（Tj） 136W（Tc） D2PAK-3 (TO-263-3)

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

    答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

ON

ON

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