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描述：IPB120P04P4-04 P沟道汽车用功率MOSFET，采用OptiMOS-P2和Gen5技术。该MOSFET符合AEC标准，支持175°C工作温度。该器件采用D2PAK封装。

规格

产品种类 ：MOSFET

封装 / 箱体 ：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性 ：P-Channel

通道数量 ：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压 ：40 V

Id-连续漏极电流 ：120 A

Rds On-漏源导通电阻 ：3.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压 ：- 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压 ：2 V

Qg-栅极电荷 ：158 nC

最小工作温度 ：- 55°C

最大工作温度 ：+ 175°C

Pd-功率耗散 ：136 W

通道模式 ：增强型

资格 ：AEC-Q101

系列 ：OptiMOS-P2

配置 ：单个

下降时间 ：52 ns

高度 ：4.4 mm

长度 ：10 mm

上升时间 ：20 ns

典型关闭延迟时间 ：49 ns

典型接通延迟时间 ：30 ns

宽度 ：9.25 mm

单位重量 ：4 g

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