LMG3426R030RQZR GaN FET 集成了驱动器和保护功能，面向开关模式功率转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
特点
通过 JEDEC JEP180 硬开关拓扑认证
600V 硅基氮化镓场效应晶体管，带集成栅极驱动器
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns FET 截止
2.2MHz 开关频率
20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和降低 EMI
工作电压为 7.5V 至 18V
强大的保护功能
逐周期过流和锁存短路保护，响应时间 < 100ns
硬开关时可承受 720V 浪涌
内部过温自我保护和 UVLO 监控
先进的电源管理
数字温度 PWM 输出
LMG3426R030 具有零电压检测 (ZVD) 功能，便于软开关转换器使用
应用
开关模式电源转换器
商用网络和服务器 PSU
商用电信整流器
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
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