IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高电压系列IGBT，采用TO-264-3封装。
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。
功能与特色:
“自由”本征体二极管
高功率密度
高频运行
低传导损耗
MOS栅极开启简单便捷
4000V电气绝缘
应用:
开关模式和谐振模式电源
不间断电源（UPS）
激光和X射线发生器
电容放电电路
高压脉冲电路
高压测试设备
AC开关
型号
品牌
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IXYS（中文名： 艾赛斯）总部位于美国硅谷，1983年成立，主营：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域，产品技术特点为高压、高功率，涵盖了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器，采用 TO-247-2（TO-247AD） 封装，适用于高功率整流、工业电源、电机驱动等应用。
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N沟道功率MOSFET，属于 HiPerFET™ Polar3™ 系列，专为高功率开关应用设计。
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1绝缘栅双极晶体管(IGBT) 提供高达150 kHz的开关能力，电流范围为66A。高开关速度和低传导损耗的结合为电源设计人员提供了一种新的高价值开关应用选择。该产品具有以下主要参数：IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V电流 - 集电极 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT（绝缘栅双极型晶体管），主要用于10-30kHz的开关应用。该产品具有以下主要参数：IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 A电流 - 集电极脉冲 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻，优化用于实现低开关损耗。其特点和技术规格如下：特点经过优化用于低开关损耗正热系数VCE(sat)国际标准封装大电流处理能力功率密度大栅极驱动要求低反向并联sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V沟槽式XPT™绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻，优化用于实现低开关损耗。该产品具有以下主要规格：IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：112 A电…电话咨询：86-755-83294757
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