IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N沟道功率MOSFET，属于 HiPerFET™ X2-Class 系列，采用 TO-247-4L 封装，适用于高频开关电源、电机驱动及工业逆变器 等应用。该器件采用超结技术，具有 低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力及优异的雪崩耐量，可显著提升系统效率并增强可靠性。
IXFH60N65X2-4 特性
高耐压：650V 漏源电压（VDS），适用于 工业电源及新能源逆变器 等高电压场景。
高电流能力：60A 连续漏极电流（ID）（壳温25°C时），脉冲电流 120A，满足瞬态高负载需求。
低导通电阻：52mΩ（最大值）@10V VGS, 30A ID，减少传导损耗。
快速开关性能：栅极电荷（Qg）= 108nC @10V，优化高频驱动效率。
上升时间23ns / 下降时间12ns，适用于 PWM控制应用。
强固性设计：780W 最大功率耗散（壳温25°C），支持高功率应用。
雪崩能量耐受，增强抗电压冲击能力。
宽温工作范围：-55°C ~ +150°C（结温），适应严苛工业环境。
TO-247-4L 封装：通孔安装，自带散热片，优化热性能。
低封装电感：减少高频开关噪声。
IXFH60N65X2-4 典型应用
电源转换：PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器。
电机驱动：工业伺服系统、电动汽车辅助电机。
逆变器：太阳能逆变器、UPS不间断电源。
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
30000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8-5
INFINEON
PG-TDSON-8
20000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8-6
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