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IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N沟道功率MOSFET，属于 HiPerFET™ X2-Class 系列，采用 TO-247-4L 封装，适用于高频开关电源、电机驱动及工业逆变器 等应用。该器件采用超结技术，具有 低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力及优异的雪崩耐量，可显著提升系统效率并增强可靠性。

IXFH60N65X2-4 特性

高耐压：650V 漏源电压（VDS），适用于 工业电源及新能源逆变器 等高电压场景。

高电流能力：60A 连续漏极电流（ID）（壳温25°C时），脉冲电流 120A，满足瞬态高负载需求。

低导通电阻：52mΩ（最大值）@10V VGS, 30A ID，减少传导损耗。

快速开关性能：栅极电荷（Qg）= 108nC @10V，优化高频驱动效率。

上升时间23ns / 下降时间12ns，适用于 PWM控制应用。

强固性设计：780W 最大功率耗散（壳温25°C），支持高功率应用。

雪崩能量耐受，增强抗电压冲击能力。

宽温工作范围：-55°C ~ +150°C（结温），适应严苛工业环境。

TO-247-4L 封装：通孔安装，自带散热片，优化热性能。

低封装电感：减少高频开关噪声。

IXFH60N65X2-4 典型应用

电源转换：PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器。

电机驱动：工业伺服系统、电动汽车辅助电机。

逆变器：太阳能逆变器、UPS不间断电源。

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