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AIMBG75R020M1H是一款750 V、81A汽车类碳化硅MOSFET分立器件，采用TO-263-7封装。该MOSFET适用于汽车应用，例如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。

Infineon CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。

规格

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：81A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 34.1A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 12.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：70 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2326 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-7

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