IMLT65R040M2H是一款采用TOLT封装的650V G2 碳化硅MOSFET分立器件。
Infineon CoolSiC™ 650V G2 MOSFET可通过降低能耗来充分利用碳化硅的性能,从而在功率转换过程中实现更高效率。该系列适用于各种功率半导体应用,如光伏、能量存储、电动汽车直流充电、电机驱动器和工业电源。
特性
灵活的驱动电压,兼容双极驱动方案
基准栅极阈值电压VGS(th) =4.5V
即使在0V关断栅极电压下,也能防止寄生导通
超低开关损耗
在硬换向事件下,体二极管仍能可靠工作
.XT互连技术,实现同类最佳的散热性能
应用
SMPS
太阳能光伏逆变器
能量存储和电池形成
UPS
电动汽车充电基础设施
电机驱动器
型号
品牌
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数量
描述
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