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英飞凌低 RDS(on) 600V 超结 MOSFET 采用高效顶部冷却 QDPAK 封装，是低频开关应用和固态解决方案的理想选择。

IPDQ60R065S7XTMA1产品属性

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:HDSOP-22

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Qg-栅极电荷:51 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:195 W

通道模式:Enhancement

系列:IPDQ60R065S7

下降时间:9 ns

优势

最大限度地降低导通损耗

提高能效

更紧凑、更简单的设计

在固态设计中无需或减少散热器

较低的 TCO 成本或 BOM 成本

潜在应用

SMPS

太阳能系统

电池和设备保护

固态继电器 (SSR) 和固态断路器 (SSCB)

室内商业照明控制

不间断电源

低速电动车  (LSEV)

可编程逻辑控制器 (PLC)

室内空调

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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