VND5N07TR 一款 N沟道功率MOSFET，属于 OMNIFET II™ 和 VIPower™ 系列，采用 DPAK（TO-252-3）封装。该器件是一款 智能功率开关，集成 负载驱动、保护电路 和 MOSFET，适用于 汽车电子、工业控制、电源管理 等应用。
核心特性（VND5N07TR）
集成保护功能
限流保护（固定阈值）
过温保护（自动关断）
过压保护（防止反向电压损坏）
低导通电阻（RDS(on)）：200mΩ（典型值），降低功耗，提高效率
负载电压（VLOAD）：55V（最大）
无需外部电源（Vcc/Vdd），简化设计
高速开关性能：快速响应，适用于PWM控制应用
工作温度：-40°C ~ +150°C（TJ）
符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子
紧凑封装：DPAK（TO-252-3），适合高密度PCB布局
参数：VND5N07TR
负载电压（VLOAD）：55V
连续输出电流（IOUT）：3.5A
峰值输出电流（IPEAK）：5A
导通电阻（RDS(on)）：200mΩ
输入类型：非反相
开关类型：通用
封装：DPAK（TO-252-3）
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