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TP65H050G4QS 是 Renesas 推出的650V SuperGaN FET ，采用 TOLL封装 （源极 tab 封装），属于其第四代 Gen IV平台 产品。该器件具有以下关键参数：

FET 类型：N 通道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：119W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TOLL

TP65H050G4QS采用 SuperGaN技术平台，通过优化栅极电荷（Qg）、输出电容（Coss）和交叉损耗（Qrr），相比传统硅基器件提升效率。 ‌

典型应用

TP65H050G4QS主要应用于 数据中心 、工业电力转换及可再生能源领域，可支持高功率、高密度电力电子系统设计。

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