IPB026N10NF2S 是一款100V,StrongIRFET ™ 2 单 N沟道功率 MOSFET晶体管,采用 D²PAK 封装,产品详情如下所示:
型号:IPB026N10NF2S
封装:PG-TO263-3(D²PAK)
类型:N-通道功率MOSFET
应用:适用于轻型电动车解决方案
规格参数:
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 162 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 103 nC
最小工作温度: - 55 ℃
最大工作温度: + 175 ℃
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 26 ns
正向跨导 - 最小值: 104 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 65 ns
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
IPB026N10NF2S 产品特性:
卓越的性价比
适用于高和低开关频率
行业标准尺寸封装
高额定电流
型号
品牌
封装
数量
描述
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S29GL01GS10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL512S10FAI013
S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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