CSD87312Q3E - 功率 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：CSD87312Q3E

商品名称：功率MOSFET

品牌：TI

年份：21+

封装：VSON-8

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

CSD87312Q3E

封装

VSON-8

描述

双30V N沟道NexFET™功率MOSFET晶体管

产品描述

CSD87312Q3E是一款30V共源极双N沟道器件，专为适配器/USB输入保护设计。这款3.3×3.3mm SON封装器件具有低漏极间导通电阻，可最大限度降低损耗，并为空间受限的多电池充电应用提供低元件数量方案。

CSD87312Q3E规格参数

技术类型：MOSFET（金属氧化物）

结构配置：双N沟道共源极

FET特性：逻辑电平栅极

漏源电压(Vdss)：30V

持续漏极电流(Id) @ 25°C：27A

导通导通电阻(Rds On) @ Id, Vgs：33毫欧 @ 7A, 8V

阈值电压(Vgs(th)) @ Id：1.3V @ 250μA

栅极电荷(Qg) @ Vgs：8.2nC @ 4.5V

输入电容(Ciss)(最大值) @ Vds:1250pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

工作温度范围:-55°C ~ 150°C (TJ)

CSD87312Q3E特性

共源极连接

超低漏极间导通电阻

节省空间的SON 3.3 x 3.3mm塑料封装

优化适配5V栅极驱动

低热阻

雪崩耐受

无铅端子镀层

符合RoHS标准

无卤素

CSD87312Q3E应用领域

笔记本电脑及平板电脑适配器/USB输入保护

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。