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三星豪掷约5万亿韩元扩产4nm芯片

三星强攻晶圆代工先进制程，继6月底宣布3nm领先业界量产后，4nm在良率显著提升下，正着手扩产，预计今年第4季每月新增上看2万片产能，并规划在4nm豪掷约5万亿韩元投资。

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：行业资讯
高通正计划重返服务器市场

高通（Qualcomm）正计划再次进军服务器处理器市场，减少对智能手机的依赖，挑战英特尔（Intel）。

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：行业资讯
台积电宣布9月量产3nm芯片，苹果抢首发头彩

为了不重蹈”AMD抢食Intel CPU事件“，晶圆代工巨头台积电3nm N3制程在完成技术研发及试产后将迅速于今年9月进入量产。预计第三季下旬投片量开始大幅拉升，第四季月投片量将达上千片水准，开始进入量产阶段。设备业者指出，以台积电N3制程试产情况来看，预期9月进入量产后…

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：行业资讯
收购英飞凌产品 IMZ120R140M1HXKSA1 1200V沟槽式碳化硅MOSFET

深圳市明佳达电子有限公司是一家全球知名品牌电子元器件回收商，长期以高价现金回收个人库存、工厂库存、海关扣押、寄售、代销、清仓等深度垂直服务，公司凭借雄厚的经济实力和良好的商业信誉，迅速在世界各地赢得了众多工厂客户的信赖，建立了长期合作关系。我们以努力处…

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
英飞凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H TO-247-4封装的1200V CoolSiC

深圳明佳达电子公司全新原装出售英飞凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封装的1200V CoolSiC，联系qq：1668527835，电话：13410018555，邮箱：chen13410018555@163.com，公司首页：www.hkmjd.com

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
供求TO247-3封装 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1沟槽型碳化硅MOSFET

明佳达公司供求英飞凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1，采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200 V、7 mΩ SiC 沟槽 MOSFET。

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
供应和回收晶体管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

明佳达供应和回收晶体管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET，采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
进口原装 IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

明佳达电子供求进口原装 IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET，只要原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，散新翻新均不考虑，有满足以上需求欢迎联系我们陈先生QQ1668527835 手机13410018555！

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
出售碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V沟槽型

深圳明佳达电子公司出售碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V沟槽型，只做原装，大量工厂库存，价格可详谈，欢迎联系陈先生qq1668527835，电话13410018555！该器件型号是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工…

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
回收英飞凌CoolSiC MOSFET《IMBG65R039M1HXTMA1/IMBG65R039M1H》

深圳市明佳达电子有限公司是一家全球知名品牌电子元器件回收商，长期以高价现金回收个人库存、工厂库存、海关扣押、寄售、代销、清仓等深度垂直服务，长期高价收购英飞凌CoolSiC MOSFET《IMBG65R039M1HXTMA1/IMBG65R039M1H》碳化硅 MOSFET 单管。

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
供应碳化硅 MOSFET 晶体管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET

明佳达全新原装供应碳化硅 MOSFET 晶体管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。

来源：本站时间：2022-08-22 所属栏目：公司动态
WiFi 市场和应用：新的 WiFi 6E 和 WiFi 7 标准

本文将讨论 WiFi 市场和应用，特别关注新的 WiFi 6E 和 WiFi 7 标准。

来源：本站时间：2022-08-20 所属栏目：行业资讯