ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工…
ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。
新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。新产品已于2024年12月投入量产（样品价格 3,000日元/个，不含税），并已开始电商销售，通过电商平台均可购买。
关于新产品的量产，ROHM利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势，进行了相关的设计和规划，并于2024年12月10日宣布作为与台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下简称“TSMC”）合作的一环，前道工序在TSMC生产，后道工序在ATX生产。另外，ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起，GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快，ROHM计划在加强内部开发的同时，进一步加深与这些合作伙伴之间的关系，以加快车载GaN器件投入市场的速度。
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