英飞凌 IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

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英飞凌 IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

来源：本站时间：2025-03-17浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌 IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管在现代电子工业中，功率 MOSFET 晶体管作为高效开关器件广泛应用于电源管理、工业控制和汽车电子等领域。英飞凌的 CoolMOS™ P7 系列以其卓越的性能和可靠性深受市场青睐。…

深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌 IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

在现代电子工业中，功率 MOSFET 晶体管作为高效开关器件广泛应用于电源管理、工业控制和汽车电子等领域。英飞凌的 CoolMOS™ P7 系列以其卓越的性能和可靠性深受市场青睐。深圳市明佳达电子有限公司作为全球知名的电子元器件分销商，长期供应英飞凌 IPB60R045P7 CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，为客户提供优质的产品和专业的服务。

英飞凌 IPB60R045P7 CoolMOS™ P7 产品概述

1、IPB60R045P7 产品描述

IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 超级结 MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中继续兼顾高效率和易用性的需求。CoolMOS™ 第 7 代平台同类最佳的 RonxA 和固有的低栅极电荷 (QG) 确保了它的高效率。

2、IPB60R045P7是英飞凌 CoolMOS™ P7 系列中的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，采用先进的 MOSFET 技术，具有以下主要特性：

高电压能力： IPB60R045P7 具有高达 650V 的高漏极-源极电压 (Vdss)，适合高压应用场合。

低导通电阻： IPB60R045P7 极低的导通电阻大大降低了传导损耗，提高了整体效率。在 15.9A 电流和 10V 驱动电压下，导通电阻（Rds On）仅为 45mOhm，有效降低了功耗。

大电流承载能力： IPB60R045P7 在 25°C 时的持续漏极电流 (Id) 为 48A，可满足高功率要求。

快速开关性能：得益于 CoolMOS™ P7 平台的超结技术，IPB60R045P7 器件具有极低的栅极电荷 (QG) 和开关损耗，适用于高频开关应用。

宽温度范围： IPB60R045P7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境。

集成 ESD 保护： IPB60R045P7 的内置齐纳二极管提供高达 2 kV 的静电放电 (ESD) 保护，提高了器件的可靠性。

优化的封装设计： IPB60R045P7 支持多种通孔和表面贴装封装（如 D²PAK），以满足不同应用场景的需求。

3、IPB60R045P7 的技术优势