东芝推出采用紧凑型DFN88封装的新型650V第3代SiC MOSFET－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和…
东芝推出采用紧凑型DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－
2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
应用：
服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源
特性：
DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
东芝第3代SiC MOSFET
通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
低漏源导通电阻×栅漏电荷
低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格：
电话咨询：86-755-83294757
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