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高性能射频开关HMC849ALP4CETR现货供应 - 明佳达电子专业分销ADI产品

高性能射频开关HMC849ALP4CETR现货供应 - 明佳达电子专业分销ADI产品

来源:本站时间:2025-08-19浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,现供应(ADI)的高性能射频开关HMC849ALP4CETR。这款SPDT(单刀双掷)非反射式RF开关采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有超宽频带、高隔离度和低插入损耗等卓越特性,广泛应用于高频通信和测试设备领域。产品核心特性…

深圳市明佳达电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,现供应(ADI)的高性能射频开关HMC849ALP4CETR。这款SPDT(单刀双掷)非反射式RF开关采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有超宽频带、高隔离度和低插入损耗等卓越特性,广泛应用于高频通信和测试设备领域。


产品核心特性

HMC849ALP4CETR射频开关代表了ADI在高频开关技术领域的领先水平,其主要技术优势包括:

超宽频带工作:支持DC~14GHz的宽频率范围,满足多场景高频应用需求

卓越信号隔离:在6GHz频率下提供高达50dB的隔离度,有效减少信号串扰

极低插入损耗:仅0.7dB@6GHz,最大限度保持信号完整性

快速切换能力:25ns的开关时间,支持高速信号路由1

非反射设计:50Ω匹配阻抗,驻波比(VSWR)小于1.3:1,减少信号反射

高功率处理:支持+30dBm输入功率(1dB压缩点),适用于高功率应用

工业级可靠性:工作温度范围-40°C~+85°C,符合严苛环境要求


HMC849ALP4CETR 技术参数

频率范围:DC 至 6GHz

隔离:典型值为 48dB(2.0 - 4.0GHz)

插入损耗:典型值为 0.9dB(DC - 2.0GHz)

回波损耗:典型值为 17dB(DC - 4.0GHz)

1dB 压缩点输入功率:24dBm(+3V,0.35 - 6.0GHz)

切换速度:典型值为 60ns(10/90% RF,DC - 6.0GHz)

工作温度范围:-40°C 至 +85°C


HMC849ALP4CETR 应用场景

蜂窝/WiMAX/4G 基础设施:用于无线基站和通信设备。

汽车电子:适用于汽车远程信息处理系统。

移动无线电:用于专业移动无线电系统。

测试设备:用于射频测试和测量设备。


产品封装

HMC849ALP4CETR采用紧凑型16引脚QFN封装(4×4mm),适合高密度表面贴装应用。


明佳达电子供应优势

现货供应:库存充足,可满足客户的紧急采购需求。

品质保证:所有产品均为全新原装正品,确保性能和可靠性。

交货迅速:交货期短,一般为 3-5 个工作日。


如需了解更多产品详情或获取报价,请随时联系我们的销售团队。

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