深圳市明佳达电子有限公司作为专业电子元器件分销商，现现货供应英飞凌高性能N沟道功率MOSFET BSZ520N15NS3G。产品描述英飞凌 BSZ520N15NS3G 一款 N沟道功率MOSFET，该产品属于OptiMOS™ 3系列，采用TDSON-8封装（3.33.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等…
深圳市明佳达电子有限公司作为专业电子元器件分销商，现现货供应英飞凌高性能N沟道功率MOSFET BSZ520N15NS3G。
产品描述
英飞凌 BSZ520N15NS3G 一款 N沟道功率MOSFET，该产品属于OptiMOS™ 3系列，采用TDSON-8封装（3.3×3.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。
BSZ520N15NS3G是英飞凌OptiMOS™3系列的代表产品，其突出优势包括：
超低导通电阻：典型值仅20mΩ，最大值42mΩ@10V，相比竞品降低40%
高电流能力：连续漏极电流21A，脉冲电流可达52A
快速开关性能：上升时间5ns，下降时间3ns，显著降低开关损耗
高耐压等级：150V漏源电压(VDS)，适用于48V-80V系统设计
小型化封装：采用3.3×3.3mm TSDSON-8封装，节省PCB空间
宽工作温度：-55°C至+150°C结温范围，满足严苛环境需求
环保合规：符合RoHS标准，无卤素设计
BSZ520N15NS3G 参数：
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 57 W
BSZ520N15NS3G 广泛应用于以下领域：
电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、充电器、UPS等。
电机控制：适用于伺服电机驱动、直流电机驱动、步进电机驱动等。
汽车电子：可用于电池管理系统、电机控制系统、充电系统等。
工业自动化：适用于工业控制系统、电气设备、自动化设备等。
明佳达电子作为专业元器件分销商，提供BSZ520N15NS3G的现货供应服务：
库存状态：现货供应，支持样品申请和批量采购
包装方式：标准卷带(TR)包装，工厂原包
质量保证：原厂正品，提供完整供应链追溯
如需了解更多详情或获取报价，请随时联系我们的销售团队。
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