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产品说明：650V 20A SiC 肖特基二极管，采用 TO-263-2封装
封装：TO-263-2
产品说明：650V 20A SiC 肖特基二极管，采用 TO-247-2 封装
封装：TO-247-2
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
封装：CCPAK1212i
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 60A（Tc） 300W（Tc） CCPAK1212
封装：CCPAK1212
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
封装：WLCSP-22
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 150 V 100A（Ta） 65W（Ta）VQFN
封装：VQFN-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 38A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-247-4
封装：TO-247-4
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 67A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 33A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 35A（Tc） 183W（Tc） TO-247-4
封装：TO-247-4
产品说明：采用 LFPAK88 的 N 沟道 100 V、2.3 mOhm MOSFET，具有增强型 SOA
封装：LFPAK88
产品说明：1200V、80mΩ、N 沟道 SiC MOSFET 晶体管
封装：TO-247-3
产品说明：1200V、40mΩ、N 沟道 SiC MOSFET 晶体管
封装：TO-247-3
产品说明：表面贴装型 N 通道 20 V 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） SOT-883
封装：SOT-883电话咨询：86-755-83294757
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