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NCV7720DQAR2G
ON

产品说明:电机驱动器 功率 MOSFET SPI 24-SSOP-EP

封装:SSOP24
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFS4823NTWG
ON

产品说明:30V 30A 10.5 mΩ 单极性N沟道功率MOSFET晶体管

封装:WDFN-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP13992ABDR2G
ON

产品说明:电流模式谐振控制器(集成式高电压驱动器,增强式轻负载)

封装:SOIC-16
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCV5661MN12T2G
ON

产品说明:低压差稳压器,1 A,低噪声,带启用

封装:DFN-6
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCV33202VDR2G
ON

产品说明:轨至轨 I/O 高输出运算放大器

封装:SOIC-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NB6N11SMNG
ON

产品说明:时钟/数据扇出缓冲器,1:2 AnyLevel™ 输入,LVDS,3.3 V

封装:QFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L25T120RWD
ON

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L25T120RW
ON

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGAF40N60SMD
ON

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V 80 A 79 W

封装:TO-3PF
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY4L75T120SWD
ON

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LB11600JV-TLM-E
ON

产品说明:电机驱动器 PWM 4.5V-14V 30-SSOP

封装:SSOP-30
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120040K3S
ON

产品说明:1200V EliteSiC 功率 N 沟道碳化硅 JFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120070K3S
ON

产品说明:1200V EliteSiC 功率 N 沟道碳化硅 JFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120040K3S
ON

产品说明:1200V EliteSiC 功率 N 沟道碳化硅 JFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120040K4S
ON

产品说明:1200V EliteSiC 功率 N 沟道碳化硅 JFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065030B3
ON

产品说明:650 V EliteSiC N 沟道碳化硅级联 JFET 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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