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AI 处理器

电阻器网络

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IKB30N65ES5

产品说明:IGBT 沟槽现场停止器 650 V 62 A 188 W 表面贴装

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL01GTFAMHV013

产品说明:FLASH - NOR(SLC) 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O,QPI 166 MHz 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIHD15N60R

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600V 30A 250W 表面贴装型 PG-TO252-3-313

封装:TO-252-3
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL01GTFAMHV010

产品说明:FLASH - NOR(SLC) 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O,QPI 166 MHz 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIHD10N60RF

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600V 20A 150W 表面贴装型 PG-TO252-3-313

封装:TO-252-3
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC99T120T8RQ

产品说明:IGBT 沟道现场止回 1200 V

封装:Die
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL01GTFAMHM013

产品说明:FLASH - NOR(SLC) 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O,QPI 166 MHz 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIHD06N60RF

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600V 12A 100W 表面贴装型 PG-TO252-3-313

封装:TO-252-3
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC54T65R3QE

产品说明:IGBT 沟槽现场止动 650 V 100 A 表面贴装

封装:Die
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL01GTFAMHM010

产品说明:FLASH - NOR(SLC) 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O,QPI 166 MHz 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIHD06N60R

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600V 12A 100W 表面贴装型 PG-TO252-3-313

封装:TO-252-3
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGP20N65F5XKSA1

产品说明:沟槽式 IGBT 650 V 42 A 125 W 通孔

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL01GTFAMHI010

产品说明:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O,QPI 166 MHz 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIHD04N60RF

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313

封装:TO-252-3
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB20N65S5ATMA1

产品说明:IGBT 沟道现场止回 650 V 40 A 125 W 表面贴装

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL01GTFAMHI013

产品说明:FLASH - NOR(SLC) 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O,QPI 166 MHz 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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