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AI 处理器

电阻器网络

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TLE9350BSJ

产品说明:高速 CAN FD 收发器,PG-DSO-8

封装:PG-DSO-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BTH50030-1LUA

产品说明:电源开关/驱动器 1:1 N 通道 25A PG-HSOF-8-6

封装:PG‑HSOF‑8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BTH50015-1LUA

产品说明:电源开关/驱动器 1:1 N 通道 90A PG-HSOF-8-5

封装:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DDB2U60N07W1RF

产品说明:EasyBRIDGE™ 650 V 整流桥模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DDB2U50N08W1RF

产品说明:EasyBRIDGE™ 650 V 整流桥模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD171N16KK

产品说明:34 mm整流二极管,电压 1600 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD171N16KA

产品说明:34 mm整流二极管,电压 1600 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD171N12KK

产品说明:34 mm整流二极管,电压 1200 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD171N12KA

产品说明:34 mm整流二极管,电压 1200 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ND89N16K

产品说明:20 mm单整流二极管模块,采用压力触点技术,电压为 1600 V

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ND89N12K

产品说明:20 mm 单整流二极管模块,采用压力触点技术,电压为 1200 V

封装:模块
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC020N03MSG

产品说明:OptiMOS™ 3M 系列功率 MOSFET,30V

封装:PG-TDSON-8
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ND171N18K

产品说明:34 毫米单整流二极管模块,电压 1800 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD98N22K

产品说明:20 毫米整流二极管模块,电压 2200 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1441KV33-133BZM

产品说明:36-Mbit 同步直通式 SRAM 存储器 IC

封装:FBGA-165
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD89N14K

产品说明:20 毫米整流二极管模块,电压 1400 V,采用压力触点技术

封装:模块
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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