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FS380R12A6T4BBPSA1

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安装 AG-HYBRIDD-1

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS380R12A6T4B

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安装 AG-HYBRIDD-1

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF800R12KE7HPSA1

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 800 A 底座安装 AG-62MM

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF800R12KE7

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 800 A 底座安装 AG-62MM

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7PB11BPSA1

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 900 A 底座安装 AG-ECONOD

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7PB11

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 900 A 底座安装 AG-ECONOD

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R1K0M1XTMA1

产品说明:采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R1K0M1

产品说明:采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R107M1HXKSA1

产品说明:650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装

封装:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R107M1H

产品说明:650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装

封装:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R040M1HXKSA1

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R040M1H

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R140M1HXKSA1

产品说明:采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R140M1H

产品说明:采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R007M1HXKSA1

产品说明:采用TO247-3封装的1200V 7mΩ CoolSiC™ 沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R007M1H

产品说明:采用TO247-3封装的1200V 7mΩ CoolSiC™ 沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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