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产品说明:357A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、4 mΩ
封装:PG-HDSOP-22产品说明:CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 顶部冷却封装,16 mΩ
封装:PG-HDSOP-22产品说明:CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 顶部冷却封装,25 mΩ
封装:PG-HDSOP-22产品说明:CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 顶部冷却封装,60 mΩ
封装:PG-HDSOP-22产品说明:StrongIRFET™ 功率 MOSFET,100 V,采用 TO-247 长引线封装
封装:TO-247-3产品说明:汽车级MOSFET N-通道 80 V 175A 205W PG-LHDSO-10
封装:PG-LHDSO-10产品说明:经过汽车认证的单通道高压栅极驱动器,专为 IGBT 技术优化设计
封装:PG-DSO-20产品说明:125 V 高侧栅极驱动器,采用 DSO-8 封装,单输出,适用于电池供电应用
封装:PG-DSO-8产品说明:32位 67MHz ARM Cortex-M3 PSOC™ 5 微控制器 IC
封装:LQFP-100产品说明:通孔 N 通道 800 V 4A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220-3-31
封装:PG-TO220-3产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安装
封装:MODULE电话咨询:86-755-83294757
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