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产品说明:表面贴装型 N 通道 80 V 170A(Ta) 294W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 55 V 330A(Ta) 375W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封装:LFPAK88产品说明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:能量收集 PMIC 16-HWQFN(3x3)
封装:HWQFN-16产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5产品说明:150 V、7 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陆栅阵列 (LGA) 封装
封装:FCLGA-3产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、80 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:100 V、3.2 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 3.5 mm x 2.13 mm 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)
封装:WLCSP-8产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 75 A 285 W 通孔 TO247-3L
封装:TO-247-3L产品说明:表面贴装型 P 通道 60V 25A(Ta) 66W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 40V 6A(Ta),18A(Tc) 2W(Ta),19W(Tc) DFN2020MD-6
封装:6-UDFN产品说明:表面贴装型 P 通道 60V 30A(Ta) 110W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56电话咨询:86-755-83294757
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