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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

品牌:

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FS1150R08A8P3LMC

产品说明:汽车 HybridPACK™ 驱动器 G2 IGBT 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS1150R08A8P3LBC

产品说明:汽车 HybridPACK™ 驱动器 G2 IGBT 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60T017S7

产品说明:600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

封装:PG-HDSOP-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY8C4046FNI-T452

产品说明:ARM® Cortex®-M0+ PSOC® 4 微控制器 IC 32-位 48MHz 64KB(64K x 8) 闪存 25-WLCSP(1.96x2.05)

封装:25-WLCSP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS01MR08A8MA2LBC

产品说明:带 SiC MOSFET 的汽车 HybridPACK™ 驱动器 G2 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60T022S7

产品说明:600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

封装:PG-HDSOP-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS02MR12A8MA2B

产品说明:带 SiC MOSFET 的汽车 HybridPACK™ 驱动器 G2 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY8C4026FNI-T412

产品说明:ARM® Cortex®-M0+ PSOC® 4 微控制器 IC 32-位 24MHz 64KB(64K x 8) 闪存 25-WLCSP(1.96x2.05)

封装:25-WLCSP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPQC60T022S7

产品说明:600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

封装:PG-HDSOP-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPQC60T017S7

产品说明:600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

封装:PG-HDSOP-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY8C4025FNI-T412

产品说明:ARM® Cortex®-M0+ PSOC® 4 微控制器 IC 32-位 24MHz 32KB(32K x 8) 闪存 25-WLCSP(1.96x2.05)

封装:25-WLCSP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF7MR12W1M1HB17

产品说明:1200V 105A 碳化硅 MOSFET 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2400R12IP7P

产品说明:1200V 2400A 双 IGBT 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1200R45HL4

产品说明:带沟槽/场截止 IGBT4 和发射极受控 4 二极管的 IHM-B 模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB022N12NM6

产品说明:100V N 沟道 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC030N10NS5SC

产品说明:100V N 沟道 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-WSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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