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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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IPD60R600CM8

产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTC020N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HDSOP-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT020N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HSOG-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTG020N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HSOG-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTG029N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HSOG-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF031N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF021N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC037N13NM6

产品说明:135V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC046N13NM6

产品说明:135V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISG0616N10NM5HSC

产品说明:OptiMOS™ 5 双 n 沟道 100 V MOSFET 晶体管

封装:PG-WHITFN-10
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISG0613N04NM6HSC

产品说明:OptiMOS™ 6 双 N 沟道 40 V MOSFET 晶体管

封装:PG-WHITFN-10
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISG0613N04NM6H

产品说明:OptiMOS™ 6 双 N 沟道 40 V MOSFET 晶体管

封装:PG-VITFN-10
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPZA60R037CM8

产品说明:N 沟道 600V 64A 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R037CM8

产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISZ143N13NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 135V 正常电平功率 MOSFET 晶体管

封装:TSDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MA2306DNS

产品说明:2x63W 音频放大器,带 I2S/TDM 音频接口

封装:QFN‑40
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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