商品名称：IGLD60R190D1S
数据手册：
IGLD60R190D1S.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：PG-LSON-8
货期：全新原装
库存数量：2000 件
IGLD60R190D1S氮化镓 HEMT 采用小尺寸 SMD 封装，适用于需要无散热器紧凑型器件的应用。CoolGaN™ 600 V 系列氮化镓器件通过了全面的氮化镓定制认证，远远超出了现有标准。PG-LSON-8 封装是一种无引线 SMD 封装，专为要求最高效率和功率密度的消费类 SMPS 和高密度充电器而设计。
这种扁平封装具有 8x8mm² 的小尺寸。该封装尺寸具有增强的热阻，结合其基准低寄生电感，可在功率密度驱动的设计中作为缩小系统解决方案尺寸的一种新的有效方法。
特征描述
具有增强热阻的小尺寸 GaN HEMT，适合功率密度驱动设计中的最佳系统解决方案尺寸
CoolGaN™ 600V 系列，GaN 定制资格认证
优势
提高系统效率
提高功率密度
实现更高的工作频率
降低系统成本
减少电磁干扰
潜在应用
低功耗 SMPS
充电器/适配器
基于半桥拓扑结构的消费类 SMPS（用于硬开关和软开关的半桥拓扑结构，如图腾柱 PFC、高频 LLC）。
型号
品牌
封装
数量
描述
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